在CMOS图像传感器的应用场景中，抗辐射性能是一项重要的技术指标。针对这一问题，研究人员进行了大量的实验与研究。根据搜索结果，我们可以了解到一些关于CMOS图像传感器抗辐射性能测试的相关内容。
首先，一篇名为“太空环境中的电离辐射对CMOS图像传感器性能的影响”的文章提到了CMOS图像传感器在太空环境中的电离辐射下的性能退化问题。为解决这一问题，研究人员从版图设计、电路设计等方面提出了相应的抗辐射策略，并进行了总剂量和单粒子试验。试验结果表明，采用抗辐射加固技术设计制作的CMOS图像传感器具备抗总剂量和单粒子辐射能力，当总剂量达到100krad(Si)、单粒子辐射总注量达到1×10~7p/cm~2时，器件的关键指标变化符合预期要求。
其次，另一篇名为“cmos图像传感器的辐射实验”的文章中，作者对CMOS图像传感器的辐射实验进行了探讨。该文章详细介绍了实验的具体步骤和结果，但需要付费下载才能获取更多信息。
此外，还有一篇名为“面阵CMOS图像传感器性能测试及图像处理”的文章提到了CMOS图像传感器在航天光学遥感领域的应用。该文章对CMOS图像传感器的缺陷像元、光响应非均匀性、信噪比等性能指标进行了测试，并根据测试结果采用暗背景扣除、缺陷像元替换、非均匀校正三种方法进行图像处理。结果显示，非均匀校正联合缺陷像元替换的处理方法处理效果最佳。
总之，通过对搜索结果的分析，我们可以了解到CMOS图像传感器抗辐射性能测试的一些相关内容。然而，需要注意的是，搜索结果中的一些文章可能与用户的问题并不直接相关，因此在实际应用中，需要结合具体需求进行筛选和参考。
